Non-ECC

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  • Kingston - 8GB (1x8GB) DDR4 2666V

    Kingston – 8GB (1x8GB) DDR4 2666V

    39.00 

    “Refurbished – wir bieten einwandfreie Gebrauchtware, geprüft, voll funktionsfähig” Power Supply: VDD = 1.2V Typical • VDDQ = 1.2V Typical • VPP = 2.5V Typical • VDDSPD = 2.2V to 3.6V • Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals • Low-power auto self refresh (LPASR) • Data bus inversion (DBI)…

  • Micron - MT4JTF12864AZ-1G4D1 1GB 240pin DIMM DDR3

    Micron – MT4JTF12864AZ-1G4D1 1GB 240pin DIMM DDR3

    12.00 

    “Refurbished – wir bieten einwandfreie Gebrauchtware, geprüft, voll funktionsfähig” Hersteller Micron Herstellernummer MT4JTF12864AZ-1G4D1 Kapazitaet 1GB Bezeichnung PC3-10700 (666 MHz) Kurzform 1GB (1Rx16) Bauform 240pin Bauart DIMM Typ UDIMM Organisation 128Mx64 Beschreibung DDR3 1333MHz Anzahl der Ranks 1 Erweiterung unbuffered Fehlerkorrektur Non-ECC DRAM Organisation 64Mx16 DRAM Anzahl 4 DRAM Bauart FBGA Norm JEDEC Bauhöhe 31,25mm Spannung…

  • Micron - MT8JSF25664HZ-1G1D1 2GB 204Pin SO-DIMM DDR3

    Micron – MT8JSF25664HZ-1G1D1 2GB 204Pin SO-DIMM DDR3

    9.48 

    Das Micron SO-DIMM mit der Herstellernummer MT8JSF25664HZ-1G1D1 ist ein unbuffered SO-DIMM Non-ECC DDR3 1066MHz 204Pin mit 2GB Kapazität (256Mx64).
    Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 256Mx8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.

  • Micron - MTA4ATF1G64HZ-3G2F1 8GB 260Pin SO-DIMM DDR4

    Micron – MTA4ATF1G64HZ-3G2F1 8GB 260Pin SO-DIMM DDR4

    59.95 

    Das Micron SO-DIMM mit der Herstellernummer MTA4ATF1G64HZ-3G2F1 ist ein unbuffered SO-DIMM Non-ECC DDR4 3200MHz 260Pin mit 8GB Kapazität (1Gx64).
    Es ist aufgebaut mit 4 FBGA 1Gx16 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.

  • Micron - MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB 260Pin SO-DIMM DDR4

    Micron – MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB 260Pin SO-DIMM DDR4

    34.00 

    Das Micron SO-DIMM mit der Herstellernummer MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 ist ein unbuffered SO-DIMM non-ECC DDR4 2400MHz 260Pin mit 8GB Kapazität (1Gx64).
    Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 1GX8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.

  • Micron - MTA8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB 260Pin SO-DIMM DDR4

    Micron – MTA8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB 260Pin SO-DIMM DDR4

    34.00 

    Das Micron SO-DIMM mit der Herstellernummer MTA8ATF1G64HZ-2G6D1 ist ein unbuffered SO-DIMM Non-ECC DDR4 2666MHz 260Pin mit 8GB Kapazität (1Gx64).
    Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 1Gx8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.

  • Micron - MTA8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB 260Pin SO-DIMM DDR4

    Micron – MTA8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB 260Pin SO-DIMM DDR4

    27.90 

    Das Micron SO-DIMM mit der Herstellernummer MTA8ATF1G64HZ-2G6E1 ist ein unbuffered SO-DIMM Non-ECC DDR4 2666MHz 260Pin mit 8GB Kapazität (1Gx64).
    Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 1Gx8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.

  • Micron - MTA8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB 260Pin SO-DIMM DDR4

    Micron – MTA8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB 260Pin SO-DIMM DDR4

    27.90 

    Das Micron SO-DIMM mit der Herstellernummer MTA8ATF1G64HZ-2G6H1 ist ein unbuffered SO-DIMM Non-ECC DDR4 2666MHz 260Pin mit 8GB Kapazität (1Gx64).
    Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 1Gx8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.

  • Micron - MTA8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB 260Pin SO-DIMM DDR4

    Micron – MTA8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB 260Pin SO-DIMM DDR4

    34.00 

    Das Micron SO-DIMM mit der Herstellernummer MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 ist ein unbuffered SO-DIMM non-ECC DDR4 2400MHz 260Pin mit 8GB Kapazität (1Gx64).
    Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 1GX8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.

  • Nanya - M2F2G64CB88B7N-CG 2GB 240pin DIMM DDR3

    Nanya – M2F2G64CB88B7N-CG 2GB 240pin DIMM DDR3

    9.48 

    Das Nanya Technology UDIMM mit der Herstellernummer M2F2G64CB88B7N-CG ist ein unbuffered DIMM Non-ECC DDR3 1333MHz 240pin mit 2GB Kapazität (256Mx64).
    Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 256Mx8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.

  • Nanya - NT2GC64B88B0NS-CG 2GB 204Pin SO-DIMM DDR3

    Nanya – NT2GC64B88B0NS-CG 2GB 204Pin SO-DIMM DDR3

    9.90 

    Das Nanya Technology UDIMM mit der Herstellernummer M2F2G64CB88B7N-CG ist ein unbuffered DIMM Non-ECC DDR3 1333MHz 240pin mit 2GB Kapazität (256Mx64).
    Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 256Mx8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.

  • Samsung - M470L3224DT0-CB0 256 MB DDR-RAM 200-pin SO-DIMM PC-2100S

    Samsung – M470L3224DT0-CB0 256 MB DDR-RAM 200-pin SO-DIMM PC-2100S

    9.48 

    “Refurbished – wir bieten einwandfreie Gebrauchtware, geprüft, voll funktionsfähig” Manufacturer Part M470L3224DT0-CB0 related Part # IBM FRU: 10K0031 HP/Compaq: 285523-001 / 317435-001 Memory Type SODIMM Capacity 256MB Pins 200 Pin Bus Type PC-2100 Error Correction Non-ECC Cycle Time 7.5ns Cas CL2.5 Data Transfer Rate 266Mhz Memory Clock 133Mhz Voltage 2.5

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