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“Refurbished – wir bieten einwandfreie Gebrauchtware, geprüft, voll funktionsfähig” Power Supply: VDD = 1.2V Typical • VDDQ = 1.2V Typical • VPP = 2.5V Typical • VDDSPD = 2.2V to 3.6V • Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals • Low-power auto self refresh (LPASR) • Data bus inversion (DBI)…
Das Micron SO-DIMM mit der Herstellernummer MT8JSF25664HZ-1G1D1 ist ein unbuffered SO-DIMM Non-ECC DDR3 1066MHz 204Pin mit 2GB Kapazität (256Mx64).
Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 256Mx8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.
Das Micron SO-DIMM mit der Herstellernummer MTA4ATF1G64HZ-3G2F1 ist ein unbuffered SO-DIMM Non-ECC DDR4 3200MHz 260Pin mit 8GB Kapazität (1Gx64).
Es ist aufgebaut mit 4 FBGA 1Gx16 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.
Das Micron SO-DIMM mit der Herstellernummer MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 ist ein unbuffered SO-DIMM non-ECC DDR4 2400MHz 260Pin mit 8GB Kapazität (1Gx64).
Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 1GX8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.
Das Micron SO-DIMM mit der Herstellernummer MTA8ATF1G64HZ-2G6D1 ist ein unbuffered SO-DIMM Non-ECC DDR4 2666MHz 260Pin mit 8GB Kapazität (1Gx64).
Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 1Gx8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.
Das Micron SO-DIMM mit der Herstellernummer MTA8ATF1G64HZ-2G6E1 ist ein unbuffered SO-DIMM Non-ECC DDR4 2666MHz 260Pin mit 8GB Kapazität (1Gx64).
Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 1Gx8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.
Das Micron SO-DIMM mit der Herstellernummer MTA8ATF1G64HZ-2G6H1 ist ein unbuffered SO-DIMM Non-ECC DDR4 2666MHz 260Pin mit 8GB Kapazität (1Gx64).
Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 1Gx8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.
Das Micron SO-DIMM mit der Herstellernummer MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 ist ein unbuffered SO-DIMM non-ECC DDR4 2400MHz 260Pin mit 8GB Kapazität (1Gx64).
Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 1GX8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.
Das Nanya Technology UDIMM mit der Herstellernummer M2F2G64CB88B7N-CG ist ein unbuffered DIMM Non-ECC DDR3 1333MHz 240pin mit 2GB Kapazität (256Mx64).
Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 256Mx8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.
Das Nanya Technology UDIMM mit der Herstellernummer M2F2G64CB88B7N-CG ist ein unbuffered DIMM Non-ECC DDR3 1333MHz 240pin mit 2GB Kapazität (256Mx64).
Es ist aufgebaut mit 8 FBGA 256Mx8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.
Das Samsung SO-DIMM mit der Herstellernummer M471A5244CB0-CRC ist ein unbuffered SO-DIMM non-ECC DDR4 2400MHz 260Pin mit 4GB Kapazität (512Mx64).
Es ist aufgebaut mit 4 FBGA(78ball) 512Mx16 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.
Das Samsung SO-DIMM mit der Herstellernummer M471B5673FH0-CH9 ist ein unbuffered SO-DIMM non-ECC DDR3 1333MHz 204Pin mit 2GB Kapazität (256Mx64).
Es ist aufgebaut mit 16 FBGA(78ball) 128Mx8 DRAM (Dynamic Random Access Memory) Bausteinen.
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Kein Mehrwertsteuerausweis, da Kleinunternehmer nach §19 (1) UStG.
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